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      1. 深圳市利拓光電有限公司
        Polycom Photonics Co., Ltd
        光 傳 感 、 光 檢 測 、 光 通 信 高 性 能 激 光 器 芯 片 , 器 件 及 模 塊
        10G高速激光二極管
        • 1310nm法布里-珀羅(FP)
          Eblana的1310nmFP激光器以合理的價格提供了無與倫比的10 Gbps性能。它的InAlGaAs組成提供了可靠的,非冷卻操作在一個廣泛的操作溫度范圍。關鍵參數的緊密均勻性確保了無與倫比的大批量生產效率。
          技術屬性
          1310nm發射
          單波長DFB(狀)光譜
          10Gbps
          低閾值電流
          寬工作溫度范圍
          芯片,TO 或TOSA 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          10GbE(千兆位以太網)
          SDH STM-64
          SONET OC-192
          10G FC 光纖通道
        • 1310nm 離散模式(DM)
          與傳統的DFB技術相比,Eblana的1310nm DM激光器在可承受的價格下提供了無與倫比的10 Gbps性能。它的應變量子阱InAlGaAs組成提供了可靠的,無模式跳躍,非冷卻操作在一個廣泛的操作溫度范圍。
          技術屬性
          1310nm發射
          單波長(DFB型)光譜
          10Gbps
          低閾值電流
          寬工作溫度范圍
          芯片,TO-can或TOSA 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          10GbE(千兆位以太網)
          SDH STM-64
          SONET OC-192
          10G FC 光纖通道
        2.5G激光二極管
        • 1310nm法布里-珀羅(FP)
          Eblana的1310nm 2.5G FP激光器是1310FP的選擇,適用于要求高性能的大規模市場應用,同時又不影響降低成本的目標。Eblana的1310 FP的InAlGaAs成分在廣泛的操作溫度范圍內提供了可靠的非冷卻操作。關鍵參數的緊密均勻性確保了大批量生產效率。
          技術屬性
          1310nm發射
          多模式的(Fabry-Perot)光譜
          2.5 Gbps
          低閾值電流
          寬工作溫度范圍
          芯片,或TOSATO-can 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          SONET OC-48/SDHSTM-16
          辦公室內和辦公室間鏈接
          光纖用戶環路
          專用光網絡
          SAN 1GFC、2GFC 光纖通道
        • 1310nm離散模式(DM)
          與傳統的DFB激光技術相比,Eblana的1310 DM 能夠以極具競爭力的價格提供高性能的單波長光源。它的應變量子阱InAlGaAs組成提供了可靠的,無模式跳躍,非冷卻操作在一個廣泛的操作溫度范圍。
          技術屬性
          1310nm發射
          單波長(DFB型)光譜
          2.5Gbps
          窄譜寬(typ800khz)
          寬工作溫度范圍
          芯片,TO-can 或 TOSA 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          GPON(ONU)
          GEPON(ONU)
          WDM-PON
        • 1550nm法布里-珀羅(FP)
          Eblana的1550nm 2.5G FP激光器是在大眾市場點對點光通信應用中應用的首選。給出了這種1550 FP激光器的高性能和長期可靠性。它的InAlGaAs組成提供了可靠的,非冷卻操作在一個廣泛的操作溫度范圍。關鍵參數的緊密均勻性確保了無與倫比的大批量生產效率。
          技術屬性
          1550nm發射
          多模(法布里-珀羅)光譜
          2.5Gbps
          低閾值電流
          寬工作溫度范圍
          芯片,TO-can或TOSA 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          SONET OC-48/SDH STM-16
          環路光纖
          辦公室內和辦公室間鏈接
          專用光網絡
        • 1550 nm 離散模式(DM)
          Eblana公司的1550 DM激光器提供了高性能的單波長光源,價格非常有競爭力,適用于大眾市場的光纖通信應用。它的應變量子阱InAlGaAs組成提供了可靠的,無模式跳躍,非冷卻操作在一個廣泛的操作溫度范圍。與傳統的DFB激光技術相比,Eblana的1550 DM具有令人信服的性能和成本優勢。
          技術屬性
          1550nm發射
          單波長(DFB型)光譜
          2.5Gbps
          窄譜寬(typ 800khz)
          寬工作溫度范圍
          芯片,TO-can或TOSA 三種選擇
          符合RoHS標準
          應用
          長光路SONET OC-48/SDHSTM-16
          ATM交換機和路由器
          地鐵邊緣切換
        長距離通信
        • 1550nm 窄線寬 (NLW)
          Eblana的窄譜線寬(NLW)系列激光器為單片機、超窄譜線寬激光器的發射標準設定在1550nm。這些產品有100 kHz、200 kHz和400 kHz 3個版本,可根據需要提供SMF或PM光纖。每個激光器模塊都提供了一套完整的特性描述數據。
          技術屬性
          窄線寬為100kHz
          穩定的單腔設計無需外部腔或反饋
          可由溫度或電流調節的
          低噪聲
          Low RIN - 160 dB/Hz
          對環境和機械振動的敏感性較低
          應用
          相干通信系統
           
          激光雷達
           
          光學測試與儀器
           
          干涉型光纖傳感器
           
          射頻和微波光子學
        • 1310 nm ADF
          Eblana公司的1310nm ADF系列激光器是一種高性能的單波長光源,封裝為14針的蝶形帶PM光纖尾纖。該激光器的頻率響應和線性特性使其成為有線電視等長接模擬傳輸系統的理想選擇。
          技術屬性
          達到30mW的輸出功率
          穩定的單腔無外部腔或反饋
          可由溫度或電流調節的
          高線性
          low RIN-155dB/Hz
          應用
          模擬傳輸系統
           
          有線電視
           
          GSM / CDMA中繼器
           
          光學傳感
           
          硅光子學試驗臺
        • 1550 nm ADF
          Eblana公司的1550nm ADF系列激光器是一種高性能、大功率單波長光源,可封裝在14針蝶形封裝帶PM光纖尾纖。這種激光器的高輸出功率、低RIN和線寬使其與外部調制器相結合非常適合用于DWDM應用。
          技術屬性
          60mW功率輸出
          線寬< 1MHz
          穩定的單腔設計無外部腔或反饋。
          可由溫度或電流調節
          Low RIN -160 dB/HZ
          應用
          相干通信系統
           
          DWDM系統
           
          光學測試與儀器
           
          干涉型光纖傳感器
           
          射頻和微波光子學
        2.5G DFB 芯片
        • 2.5G 1550nm DFB芯片
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760-2330nm激光器。 2.5G 1550nm DFB芯片 激光器中心波長:1550nm +/-10nm 用途:光通信數據傳輸,用于高性能光通信應用以及點對點應用。 封裝形式:單芯片,芯片尺寸:長寬高200X200X110um 供應商:深圳市利拓光電有限公司 供貨周期: 1周 2.5G 1550nm DFB芯片 產品特征:1550nm單模激光輸出;低閾值電流和低工作電流;高可靠性,低功耗;高低溫穩定性;高波長穩定性;2.5Gpbs調制速率。 應用領域:用于高性能光通信應用以及點對點應用 ? 閾值電流:典型值9.5mA, 最大12mA ? 工作電壓: 2V ? 工作電流最大: 100mA ? 工作溫度范圍: -5~85℃ ? 中心波長: 1550nm +/-10nm ? SE斜效率:0.35 mW/mA ? SMSR邊模抑制比: 最小35 dB ? 波長溫度調諧系數:0.09 nm/°C ? 垂直發散角:30° ? 水平發散角:24° ? 帶寬:4GHz ? 芯片尺寸:長寬高250X250X150um ? 儲存溫度: -40~85℃
          技術屬性
        • 2.5G 1490nm DFB芯片
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列的650-2350nm全波長半導體激光器產品可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形。 2.5G 1490nm DFB 芯片 LV02-DC49-C02 中心波長:1485 1495 1545 1555nm 用途:GPON OLT領域 供應商:深圳市利拓光電有限公司 2.5G 1490nm DFB 芯片 LV02-DC49-C02 2.5G 1490nm DFB激光芯片是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ ?工作溫度:-5-85℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?正向電壓:最大值2V ?閾值電流:典型值9.5mA(25℃)19mA(85℃)最大值12mA(25℃)25mA(85℃) ?斜效率:最小值0.35mW/mA ?邊模抑制比:最小值35db ?峰值波長: 1485 1495 1545 1555 nm ?波長溫度系數:0.09nm/℃ ?垂直發散角:30degree ?水平發散角:24degree ?帶寬:4GHz 2.5G 1490nmDFB芯片設計用于高性能光通信應用以及GPON OLT應用。 芯片尺寸:200*200(±20)um 芯片寬度:110(±10)um 出貨量:1000K 每款產品都有相應的測試報告、產品售后均有專業的工程師一對一解答,深圳利拓光電與很多高校有很好的合作關系
          技術屬性
        • 2.5G 1270nm DFB芯片
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。 2.5G 1270nm DFB 芯片 型號:LV02-DC27-E01   中心波長:1270nm   用途:GPON 領域  2.5G 1270nm DFB 芯片 LV02-DC27-E01   2.5G 1270nm DFB激光芯片是為高性能光通信應用而設計   ?儲存溫度:-40℃-85℃   ?工作溫度:-20-85℃   ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?閾值電流:典型值10mA(25℃)15mA(85℃)最大值:15mA(25℃) 30mA(85℃)   ?正向電壓:最大值:1.6V   ?斜效率:最小值0.35mW/mA   ?邊模抑制比:最小值35db   ?電阻:8Ω   ?峰值波長: 1260 1270 1280 nm ?波長溫度系數:0.09nm/℃ ?垂直發散角:典型值28degerr ?水平發散角:典型值24degerr   ?帶寬:3GHz 2.5Gbps 1270nmDFB激光芯片設計用于高性能光通信應用以及GPON應用。 芯片尺寸: 芯片長度:250(±25)um 芯片寬度:220(±25)um 芯片厚度:110(±20)um
          技術屬性
        • 2.5G 1310nm DFB芯片
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。 2.5G 1310nm DFB 芯片 LV02-DC31-E01   中心波長:1310nm   用途:光模塊 GPON 2.5G 1310nm DFB 芯片 LV02-DC31-E01 2.5G 1310nm DFB激光芯片是為高性能光通信應用   ?儲存溫度:-40℃-85℃   ?工作溫度:-20-85℃   ?反向電壓:最大值2V   ?正向電流:最大值100mA   ?閾值電流:典型值10mA(25℃), 15mA(85℃)最大值:15mA(25℃) 30mA(85℃) ?正向電壓:最大值1.6V   ?斜效率:最小值0.35mW/mA   ?邊模抑制比: 最小值35db   ?電阻:8Ω   ?峰值波長: 1300 1310 1320nm ?波長溫度系數:典型值0.09nm/℃ ?垂直發散角:28degree ?水平發散角:24degree   ?帶寬:3GHz 2.5Gbps 1310nmDFB芯片設計用于高性能光通信應用以及GPON應用。 芯片尺寸: 芯片長度:250(±25)um 芯片寬度:220(±25)um 芯片厚度:110(±20)um
          技術屬性
        2.5Gbps DFB Laser TO
        • 2.5Gbps 1490nm DFB TO
          深圳市利拓光電有限公司專業研發生成銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊。專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 交貨周期:4-8周 2.5Gbps 1490nm DFB TO  型號:LV02-DT49-CA2 用途:PON 領域 高性能光通信 2.5Gbps 1490nm DFB TO  型號:LV02-DT49-CA2 2.5Gbps 1490nm DFB TO激光芯片是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ ?工作溫度:-5-75℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?PD正向電流:最大值10mA ?PD反向電壓:最大值2V ?閾值電流:典型值10mA(25℃)最大值: 12mA(25℃)25mA(85℃) ?正向電壓:最大值:25V ?斜效率:最小值0.3mW/mA最大值0.55mW/mA ?邊模抑制比:最小值35dB ?上升/下降時間:120ps ?峰值波長:1485 1490 1495nm ?PD暗電流:最大值100nA ?PD背光電流:最小值100uA 最大值:1000uA
          技術屬性
        • 2.5Gbps 1270nm DFB Laser TO
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售、氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案,批量提供全系列650nm-2350nm全波長半導體激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 2.5Gbps 1270nm DFB Laser TO  型號:LV02-DT27-EA2 用途:GPON 領域 供應商:深圳市利拓光電有限公司 2.5Gbps 1270nm DFB Laser TO激光芯片是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ ?工作溫度:-20-85℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA 閾值電流:典型值10mA(25℃)最大值: 30mA(85℃) ?正向電壓:最大值:1.6V ?斜效率:最小值0.35mW/mA ?邊模抑制比:最小值35dB ?峰值波長: 1260 1270 1280 nm ?PD暗電流:最大值100nA ?PD背光電流:最小值150uA 最大值:950uA 2.5Gbps 1270nmDFB激光芯片設計用于高性能光通信應用以及GPON應用。 芯片尺寸: 芯片長度:250(±25)um 芯片寬度:220(±25)um 芯片厚度:110(±20)um
          技術屬性
        10G DFB TO
        10Gbps DFB TO
        • 10Gbps 1330nm DFB TO
           深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 交貨周期:2-8周 10Gbps 1330nm DFB TO  型號:LV02-DT33-CB2 用途:5G網絡應用中 10Gbps 1330nm DFB TO  型號:LV02-DT33-CB2 10Gbps 1330nm DFB TO激光芯片是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ ?工作溫度:-5-70℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?PD正向電流:最大值10mA ?PD反向電壓:最大值10V ?閾值電流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃)最大值15mA(25℃) 35mA(85℃) ?正向電壓:典型值:1.2v 最大值1.5v ?斜效率:最小值0.3mW/mA ?邊模抑制比:最小值35dB ?峰值波長:1320 1330 1340nm ?PD暗電流:最大值100nA ?PD背光電流:最小值150uA 最大值:950uA
          技術屬性
        • 10Gbps 1270nm DFB TO
          深圳市利拓光電有限公司專業研發生成銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列650-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 交貨周期:2-8周 公司所售出的產品如有質量問題支持退換貨服務,可以根據客戶的需求開票. 10Gbps 1270nm DFB TO  型號:LV02-DT27-CB2 用途:5G網絡應用中 10Gbps 1270nm DFB TO是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ ?工作溫度:-5-70℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?PD正向電流:最大值10mA ?PD反向電壓:最大值10V ?閾值電流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃)最大值15mA(25℃) 35mA(85℃) ?正向電壓:典型值:1.2v 最大值1.5v ?斜效率:最小值0.3mW/mA ?邊模抑制比:最小值35dB ?峰值波長:1260 1270 1280nm ?PD暗電流:最大值100nA ?PD背光電流:最小值150uA 最大值:950uA
          技術屬性
        25G CWDM DFB芯片
        • 25G CWDM 1271nm DFB芯片
          供應商;深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件、模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可以根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器 25G CWDM1271nm DFB芯片 該芯片的應用領域:芯片應用在100G數據中心和5G網路中 額定極限值:儲存溫度:-40-85攝氏度 工作溫度:70攝氏度 反向電壓:2伏 正向電流:100毫安 光電特性:正向電壓:典型值:1.25伏 最大值1.35伏 斜效率:最小值0.2mW/mA 典型值0.35mW/mA 最大值0.45mW/mA 邊模抑制比:最小值35dB典型值43dB 電阻:典型值6最大值:10 峰值波長:λ-4.0 最大值λ+2.0 波長溫度系數:0.09 帶寬:典型值18GHz 芯片尺寸:200*200(±20)um 厚度:110(±15)um 以上數據為該產品的規格參數,每一個產品我公司都有嚴格的質量把控,我公司所有產品都有專業的工程師詳細解答。
          技術屬性
        10G DFB芯片
        10Gbps 1310nm DFB 激光器
        • 10Gbps 1310nm DFB 激光器
          深圳市利拓光電有限公司專業研發、生成、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊。專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 交貨周期:2-8周 10Gbps 1310nm DFB 激光器   用途:5G網絡應用中 10Gbps 1310nm DFB 激光器是為高性能光通信應用而設計 ?儲存溫度:-40℃-85℃ .工作溫度:-5-70℃ ?反向電壓:最大值2V ?正向電流:最大值100mA ?PD正向電流:最大值10mA ?PD反向電壓:最大值10V ?閾值電流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃) ?正向電壓:最大值:2v ?斜效率:最小值0.3mW/mA ?邊模抑制比:最小值35dB ?峰值波長:1300 1310 1320nm ?PD暗電流:最大值100nA ?PD背光電流:最小值150uA 最大值:950uA
          技術屬性
        2.5Gbps DFB TO
        • 2.5Gbps 1310nm DFB TO
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件、模塊,專注于半導體激光氣體傳感產品解決方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波長半導體激光器產品可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器,激光器封裝形式有TO39、TO56、TO60、14針蝶形封裝。 2.5Gbps 1310nm DFB TO 額定極限值:儲存溫度 最小值-40℃ 最大值:85℃ 工作溫度最小值-20℃ 最大值85℃ 反向電壓;最大值2V 正向電流:最大值100mA PD正向電流:最大值10mA PD反向電壓:最大值2V 光電特性:正向電壓:最大值1.6V 閾值電流:溫度25℃典型值10溫度85℃最大值30mA 斜效率:最小值0.3mW/mA 邊模抑制比:最小值35dB 峰值波長:最小值1300 典型值1310 最大值1320nm 2.5Gbps 1310nm DFB TO采用TO-56封裝(4針) 采用先進的技術,工藝精細,產品靈敏度高,單芯片整體設計,中心波長為1310nm,6.5mm焦距 2mm球鏡頭蓋,每一款產品都有相對應的測試報告,每一款產品都有專業的技術工程師指導。2.5Gbps 1310nm DFB TO該產品從愛爾蘭進口,擁有國外的先進的技術,每一款產品都有相應的序列號,每一個產品的規格參數都不一樣,
          技術屬性
        10G CWDM DFB 芯片
        • 10Gbps CWDM 1271nm DFB 芯片
          供應商:深圳市利拓光電有限公司 深圳市利拓光電有限公司專業研發、生產、銷售氣體傳感、計量檢測和光纖通信用半導體激光器芯片、器件和模塊,批量提供全系列650nm-2350nm全波長半導體激光器產品,可根據客戶要求定制波長760nm-2330nm激光器。 10Gbps CWDM1271nmDFB芯片該芯片為高性能高速設計應用于4G/5G網絡中 儲存溫度:-40攝氏度-85攝氏度 工作溫度:-5攝氏度-85攝氏度 反向電壓:2伏 正向電流:120毫安 正向電壓:典型值1.25伏最大值1.35伏 斜效率:0.2 0.35 0.45mW/mA 邊模抑制比:35db 電阻:9歐姆 峰值波長 :最小值λ-6.5 最大值λ+6.5nm 波長溫度系數:0.09 帶寬:最小值:12GHz 最大值:16GHz 每款產品均有相對應的數據參數,如果想要了解產品的技術規格書,請聯系我們,我們會將規格書發送給你,我公司所有的產品都有質量保證有專業的售后工程師一對一的解答。
          技術屬性
        為什么選擇深圳市利拓光電有限公司

          * 十多年研發經歷的團隊和產品批量生產交貨經驗  

          * 十多年產品品質管理經驗和完備的質量保證體系

          * 單模激光器的波長范圍從689nm 到2350nm

          * 快速的客戶化定制能力和滿足客戶特殊要求  

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